工作职责:

1.国产自研全新半导体8/12寸设备Dry Etch(ICP Poly/Metal/TSV、CCP Dielectric、ICP Remote PR Strip), CVD/RTP/UV固胶机等设备研发提供工艺技术支持;

2.负责潜在客户产品工艺方案定制及工艺开发Demo评价,与客户进行工艺技术交流,促成公司自研全新设备订单成交;

3.为公司翻新机台业务及客户现场提供工艺异常解决方案。

4.针对客户现场工艺装机疑难杂症提供合理的工艺调试方案,顺利推进客户机台Qualify。

工作业绩:

1.2022年带领团队完成约83家客户共计131个Demo任务的工艺调试,其中Poly/SiC/Si Trench/ Dielectric等刻蚀工艺的调试和开发约76个;Dry PR Strip case(Au/Cu/W等特殊金属表面去胶、HDIS工艺、MEMS器件空腔PI牺牲层释放、常规去胶和Descum及表面等离子处理制程)约55个;

2.参与公司Metal Etch、TSV etch(Bosch工艺)以及12英寸ICP刻蚀机台研发项目,顺利按进度节点推进。

3.2022年主导推进客户现场翻新机台工艺异常Case 6个,顺利完成二手机台装机验收工作。

工作职责:

1.负责组内负责产品及工艺Layer的项目进度安排,推进重点项目顺利展开。

2.个人负责部分制程工艺调试和工艺维护,提升机台蚀刻CpK工艺管控能力。

3.分析和查找产品或机台异常的原因并对应解决。

4.Co-work with PIE check & improve product process window。

5.协助主管进行组内人才梯度培训建设。

工作业绩:

1.参与了华虹无锡项目12英寸先进工艺生产线建线工作。主要参与了前期建线所需化学品及特气规格定案,完成相关用量预估和供应商评估;干法刻蚀设备选型工艺能力评估。

2.负责完成55nm逻辑/CIS产品和90nm Eflash/55-40nm NOR flash平台产品SP/SAB/CT工艺开发和Recipe tuning。

3.负责完成SGT/IGBT/SJ /DMOS等功率器件产品接触孔工艺开发和Recipe tuning。

4.根据公司规划陆续按进度完成20k/40k/56K/65k产能扩充Tool/Chamber qualify。

担任职位:工艺主任工程师(2016.05 - 2018.08)

工作职责:

1、 主要负责晶圆生产线90nm、0.13um、0.18um等产品的POLY/WSI GATE干刻、ETCH BACK工艺的日常维护及管理,异常问题处理;协助MOS trench工艺的日常维护。

2、 评估同类机台或新腔的工艺能力展开。

3、 通过SPC分析和查找机台Shift原因,跟踪产品良率;提升机台蚀刻CpK工艺管控能力。

4、 借用FA手段分析晶圆生产过程中产生的缺陷,以及成品失效的原因进行分析和改善。

5、 CD-SEM、膜厚仪、Step High量测Recipe set up,及日常量测的修正。

6、 编写并改进生产的操作规范、日常处理SOP;对产线员工进行机台操作的培训。

工作业绩:

1. 0.13um flash产品Poly Gate蚀刻Low yield case(产品报废达1200pcs左右)Root Cause调查及改善。经调查,确认为与DPS+ chamber内壁涂层偏薄露铝导致,后续制定针对Chamber PM Clean后表面涂层厚度监控量化标准,最终使得该Case得到解决。

2.完成DPS/DPS+同型号8个chamber的POLY/WSI GATE的工艺展开。

3.所负责工艺部分的Offline/Inline SPC items CpK达1.33以上100%,CpK达1.67以上90%。

工作职责:

参与干、湿法蚀刻项目制程设备装机和工艺调试,各类蚀刻工艺的开发和制程维护。

工作业绩:

1.参与了国内首条市场化运作的微纳机电制造(MEMS)中试平台的建线工作。参与了前期建线所需化学品及特气规格定案,完成相关用量预估和供应商评估;完成刻蚀区相关机台确认并结合工艺需求,进行机台工艺安排和制订改机方案。

2.负责蚀刻区干、湿法制程的导入和管理,主导进行了各类蚀刻干湿法机台的参数规范和操作规范等SOP的编制;负责设备RFQ编制、新机台导入以及原物料采购、品质管控。

3.参与了部分新机台如SPTS Pegasus深硅蚀刻及HF Vapor干法释放、ALCATEL AMS200深硅蚀刻、KOH体硅腐蚀等机台的招标购买及工艺调试。

4.负责硅麦克风、压力计、陀螺仪等产品的蚀刻工艺研发(Poly/Si3N4/OXIDE/Al etching),部分产品顺利实现工艺转移和量产。

工作职责:​负责蚀刻新制程工艺的开发和制程维护

​独立负责过AMAT8330、AMAT P5000、AMAT8110、Tegal 901和903 、Branson IPC 3000、Gasonics L3300等机台工艺Recipe调试,熟悉Contact、Metal、Via、PAD等刻蚀工艺和各类干、湿法去胶工艺的开发;

​针对热氧/TEOS膜/LTO膜/氮化硅/Al或Al-Si-Cu合金等不同膜质的湿法腐蚀工艺开发维护;

主要业绩:​ AMAT8330铝干刻CHF3工艺开发,解决了原CF4工艺侵蚀、硅屑残留异常率偏高的问题。

​ Metal1铝纯干刻工艺转“湿+干” 刻蚀工艺优化项目, 成功解决小规则产品因Metal1

铝刻蚀角度过陡导致的Metal2铝刻蚀残留的工艺难题

​ 参与了针对AMAT8330、8110分子泵的改造项目 ,保证了生产稳定和可靠,节约成本。

​针对原手动自制铝腐蚀槽温度波动大,腐蚀均匀性差导致返工率偏高的问题,通过改造

废旧SCP湿法腐蚀机台,调试了新的铝腐蚀工艺方法。使得铝腐蚀批返工率、片返工率分别由原先的20.54%、10.78%降低到1.46%、0.53%,有效提高了生产质量。

独立完成了热磷酸加水去除场区氮化硅膜的工艺开发,改善蚀刻选择比,提升WPH。

​对外延/光刻/薄膜/扩散/注入等工艺制程异常专题改善:

​光刻表面黏附性专题改善,评价手段及标准完善

​铝膜表面膜质改善,铝膜溅射异常导致的通孔不通异常分析和解决

​扩散前硅片表面清洗效果改善

​注入硅片爪印和注入表面爆点异常改善

​完成“晶圆划伤/破损减少项目”,达成总体划伤(破损率)从3.2%降为0.9%的目标