职责业绩:
作为工艺工程师,配合PIE完成SiC功率器件多晶硅、介质层的淀积和刻蚀,熟悉PECVE、LPCVD和RIE刻蚀反应机理及设备操作,使用机型为TEL 8SE、Lam4520和Lam9400。
工作内容:
1.参与碳化硅功率器件线(SBD&MOSFET)建设,负责CVD和ETCH设备调试和工艺验收;
2.设计方案优化工艺recipe,改善产品性能,并编写工艺指导书;
3.在产线上为技术员提供生产指导,以及现场异常问题的处理;
4.独立负责异常Wafer的分析与改善,针对不良品的提出异常分析及处理;
5.独立负责国产设备的评估、引进、调试及验收工作;