主要工作内容如下:
项目一:650V SJMOS 职责: 项目负责人 1.制定 SJMOS 的设计规格的制定 2. SJ MOSFET 的 layout 的绘制并已经 tapout 项目二:650V/1200V SiC diode 职责: 项目参与人 1. 参与 650V、1200V diode sentaurus 仿真工作(Teminal 区域):通过改变环宽以及换间距 2. 参与 650V、1200V layout 绘制工作:cell 区以及终端区域 项目三:40V/100V SGT MOS 职责:项目参与人 1.SGT layout 的绘制 2.根据 process flow 进行仿真平台搭建(正在做 sprocess 部分) 其他: 1. 熟悉半导体器件开发流程,具有扎实的半导体器件基础及芯片制造工艺知识( CMOS &SGT); 2. DRC 的简单规则书写以及 calibre 验证 3. 目前已完成数篇专利的撰写,具有优异的文字和语言表达能力
本工作主要对DRAM的各个工艺流程进行测量与检测,主要职责有:
1.负责KLA机台Thickness设备recipe的建立根据TF部门的工艺;
2.负责KLA机台IMP损伤检测设备recipe的建立并与IMP部门进行讨论检测参数;
3.负责ASML&AMAT机台的CD检测设备,根据PHOTO和ETCH部门的工艺进行CDrecipe的建立;
4.完成领导安排的其他工作。