主要负责:(1)CIS28nm与比利时IMEC

的processflow的工艺节点对比与改进;CheckGDS中的CD与designrule的技转;

(2)IMEClayout的检查和核验,以及版图中testkey的查验,具体WAT电性参数的

表格核验(使用Keysight机台ARC01型号和KLA和Semitronix组装的测试机台测电

性参数Rc,Rs,Ioff,Vtlin,Vtsat,Idlin,Idast对layout版图中ESD单元的设计进行查验与

解释; (3)负责28nmCISFEOL段POLYshortflow段lot的PI-RUN以及对demo

wafer洒split进行实验与验证,使用GDS和JDV对版图进行check和TEMhandbook

的制作。 (4)负责28nmMEOLSAB 中段TQV的pi-RUN的验证与研发,与六

大工艺部门进行adjust工艺,负责卡控spec,主要负责silicide(金属硅化物)这段工

艺探索与开发,会使用JDV和GDS进行版图check和TEMhandbook的制作;

(5)使用Keysight的ARC01型号机台测试源漏极Rs的接触电阻,判断硅的金属化是

否符合标准;使用KLA和Semitronix组装测试机台对IMEC的成品wafer进行WAT电

性的测量,进行厂内28nmLL产品的参考; (6)进行芯片的逆向分析工程探索与

研究(个人独立完成)(Reverseengineering)的研究,对芯片的SRAM区(包括HighV区和MediumV)进行分析首先做PFA(DecapDelayer拍摄criticalsizeOM图,找出

SRAM区),对SRAM单个重复单元进行TEM和EDX的分析(NPMOS的X1/X2/X3,Y1/Y2/Y3方向)对TSMC和Union,S的芯片的逆向工程(看Gate结构与组成HighK

成分和size,shareContact和normalcontract成分分析与研究)进行整理与探索和汇

报,Detectrealstructureandelementsdistribution用卡通图表示进行汇报与分析;

(7)负责28nmHPCDevicelot的RUN货和DevicelotWAT电性参数的测试,使用

Keysight 机台 ARC01 型号和 KLA 和 Semitronix 组装的测试机台测电 性参数 Rs,

Idlin,Idsat,Ioff,Vtlin,Vtstat进行测试,并且画出TrendchartorBoxchart,进一

步由电性参数反馈给制程工艺研发进行CIP。

行NBT以及HfZrO薄膜的镀制,通过使用XRD对比元素分析,观测薄膜的生长方向和

基底的匹配度,用AFM原子力显微镜观察薄膜的生长形貌,使用磁强计绘制薄膜的磁滞

回线。并以此为薄膜为依据探究全新材料的忆阻器。

薄膜工艺研发与制备和薄膜的WAT的电性测试,使用的方法是ALD原子沉积方式,设

备是TEL旗下的TRIAS机台进行远程操作与工艺参数改进)