1.负责使用S-Topo/ PE/Raphael分析薄膜和刻蚀工艺对cell存储单元电学特性的影响,通过仿真对工艺进行优化和预研,并指导工艺优化方向。
获得2022-2023年度,公司级团队创新奖(仅两只团队获得),通过仿真预测,验证和拟合模型的提出,与其他团队合作成功解决了当前技术代DRAM存储器CAP 器件中的HK film 的堆叠问题,并使CAP性能达到世界先进水平。
2.工作期间参与发表了两篇公司技术论文和一篇国际会议期刊
Dielectric Relaxation Performance of DRAM storage Capacitor and Ways of Improvements (IEEE-IMW收录/公司技术论文一等奖)
The performance improvement of High-K dielectric materials for dynamic random-access memory capacitor applications.

1.负责3D NAND 中Tungsten/Carbon Film新工艺的导入及优化,解决薄膜制备工艺相关问题,通过优化recipe提升工艺稳定性。
2.负责使用Synopsys Process Explorer搭建工艺流程,进行工艺流程培训。
3.使用S Device分析薄膜工艺对cell存储单元电学特性的影响,通过仿真对工艺优化方案进行预研,并指导薄膜工艺优化方向。