工作内容:
1、负责D-TOF车载激光雷达芯片工艺开发,负责新产品导入工作,LayerMapping/GDRUpdate/DRC/JDVcheck等,负责新产品的Processflow搭建。熟悉芯片Fusion(融合键合)&HybridBonding(混合键合),熟悉FSIandBSI 工艺过程,熟悉WATTSK结构和测试机理。从制程整合的角度领导整个产品和工艺整合的优化升级,达到提升WAT&CP性能,满足可靠性以及良率的要求。
2、DCR&VBDImprove:CDTIandFDTI工艺开发,DPWIMP 受机台限制,没办法打足够深,传统的DPWIMPPinning效果并不理想,CP端 DCRperformance并不理想。开发FDTI代替DPWIMPCap电荷缺陷使得DCRimprove24.3%,CDTI 改善进光量,improvePDE 达到35.8%.

工作内容:
1、负责炉管 oxideLPCVD 以及 ALDoxide 以及 Imp制程,配合PIE完成工程试验验证。熟悉 DRAM芯片 processflow,有较丰富的 LPCVDqualifysinglewafer 经验,具备工艺整合理念和丰富的项目经验。
2、CMOS 栅氧化层工艺过程优化:在 CMOS 工艺中经常因为栅氧化工艺过程异常而导致大量 wafer 报废针对该问题,项目中对CMOS 中的高压(HV),低压(LV)和超低压(SLV)等不同类型栅氧化层工艺进行分析和优化。通过分段实验方法对低压氧化、低压自由基氧化和氧化层氮化退火等工艺的各关键步骤进行量化分析,结合TCAD工艺仿真以及实验数据对工艺工程中的潜在弱点环节进行诊断,并优化工艺方案,最终确定BuriedWL条件使该项目因 Gateoxide 工艺异常而导致的 wafer 报废降低 30%。

工作内容：
1、IMPrecipe 以及 OEE 优化:负责维护 AMAT 应用材料公司 Imp 离子植入机台及亚舍立 AXCELISPURIONXE 离子植入 recipe的稳定及优化,擅长 Imp 机台 tunebeam。工作工程中,发现机台 sourcefilament 经常没有达到预计的 lifetime 就会断裂,研究发现是由于 recipe 中 extractionI 以及 gasflow 偏大,导致 sourceoverload,finetune 相关 recipe,成功延长了 sourcefilamentlifetime,将机台 uptime 从 91%提升到 93%,并降低换气体钢瓶的频率,降低 EEloading 节省 cost200W/年。
2、HE 的 monitorwafer 测TW 时,对 energyshift 不明感,而TW随时间变化,稳定性不够,提出首先打 GE,形成 amorphous 区域,然后打 C, 进一步降低后续监控片离子植入时元素向底层 diffuse,再离子植入,成功实现将 HE 的 TW 量测替换为 RS 量测,极大提高量测稳定性。
专利成果
1.一种监测高能离子植入机台能量是否偏移的新方法
2.一种新型可提高离子源寿命的弧光反应腔体