DDR系列产品开发:

Wafer制造完成后，由于工艺原因会引入各种制造缺陷，导致Wafer上的裸die中出现一定量的残次品。通过CP端的电压电流、Core Timing和功能等验证在封装前将残次品筛出，进而提高芯片良品率。
· 根据TestPlan，Pattern分出不同的BIN，根据错误信息进行debug，修改Pattern和程序，逐个清理且loop多轮后，在整片Wafer上Try Run;进入量产阶段后，根据大量Test统计数据进行调整及进一步优化，关注量产芯片WAT参数及良率，及时筛出异常Wafer;
· 验证DRAM芯片Margin Write/Read、存储功能、rentention功能等，根据结果对错误率较高的BIN进行器件及电路原理分析;根据产品迭代需求进行机理研究，设计不同条件下的shmoo实验方案作出验证，与预期结果或仿真 结果进行比对分析，最终作出判断