工作职责:
1. 负责12吋研发团队部门架构设计和搭建,日常管理工作,TD PIE分立器件团队从初期1人发展到30人。
2. 车规级项目T6 第一个leading产品6 à12inch技转,56天完成产品通线,CP良率大于99%,FT良率大于98%,器件性能匹配,产品已经实现量产,并通过车规级可靠性认证和质量VDA6.3认证。
3. 整体项目规划T6&T9技转项目,熟悉整个技转详细流程。
4. 配合公司产品定位,多维度分析(市场、技术、供应链、成本等),产品选型,公司产品road map建议;
5. 安世产品技术转移负责人,同安世欧洲公司就肖特基产品和功率器件产品T6/T9(Trench + Thick Bottom Oxide)进行相关技术know-how转移(工艺流程、单项工艺差异、P-FMEA和control plan等;多个维度分析具体产品转移的经济性和必要性;
6. 评估6 à 12吋 和8 –>12吋器件和工艺风险,形成Delta-FMEA和创建12inch PFMEA, 并形成对应mitigation plan以降低风险;
7. 制定产品12吋工艺流程,具体每一步工艺要求;进行Epi和背封工艺评估,晶圆减薄50um工艺可行性评估和机台采购建议;制定产品晶圆原材料规格,mask规格要求以及Mask Tape Out流程和计划等;
8. SGT25~150V指导研发项目规划,计划和落实,产品器件仿真分析,版图设计审核,产品工艺流程建立,衬底EPI规格和性能评估,wafer测试规范,和Device lot流片器件调试,解决工艺问题,良率问题,器件参数满足设计目标(BV, Rdson, Vth)等;目前SGT60V已实现工艺冻结,yield~98%;SGT30V yield ~70%; SGT80V yield ~95%,SGT40V yield ~60%, 100V产品工艺开发完成90%。
9. Super Junction工艺技术沟通和study;IGBT工艺可行性研究和机台采购建议。
10. 研发部门系统建设,强调流程化,标准化,制度化管理,组织内部氛围和谐和人员稳定,形成一批强战斗力和吃苦耐劳的职业团队;
11. 新人招聘,入职培训体系搭建,培训目标和方案,以及课程安排;
12. 作为部门质量代表,参加多次内部和外部质量审核(ISO9001, IATF16949 and VDA6.3).
13. 指导WAT和CP机台技术评分和选型,并搭建WAT & CP测试平台;
14. 领导公司MES naming rule定义(包括Plan ID, EQP Group/ID, Product ID, Lot ID, lot type, etc)和Fab污染管控流程.

工作职责:
1. 帮助技术转移项目经理为第5/5.X代 LV&MV 30-200V VDMOS产品建立工作和工艺流程,并作为该技术工艺的Fab现场负责人提供支持。作为转移的一部分,帮助协调和领导 Fab 团队建立流程并交付最终产品,以满足 Tx9 产品释放要求;
2. 工厂运营管理和质量控制,确保 IFX 产品质量保证;
3. 作为Fab现场技转技术蚀刻模组负责人支持和协调单步工艺建立和程式优化,并评判UPD的质量以保证准确复制母厂工艺技术;
4. 同项目经理合作,启动Fab项目计划,包括计划的时间表和预算,准备和验证包含模组配方、设备设置条件及配置、工作和工艺流程、母厂产品参数性能、产品经验教训,培训文档和成功标准的技术转让包;
5. 转移和验证Fab厂的工艺和测试配方,启动和分析数据,然后定义 DOE 计划,执行参数数据匹配和引导问题调查并促进改善;
6. 领导制定控制计划和 FMEA,以确保Fab厂的过程能力和质量控制。
7. 管理Fab厂产品转移项目和团队,交付产品进行制造和IFX产品维护团队管理,并提交所有产品转移文档进行控制。
8. 熟悉中低压功率器件产品关键电性参数,确保晶圆级和封装级测试良率和参数目标达成,并启动纠正措施和改进计划。

工作职责:
1. 熟悉泛林半导体12英寸机台薄膜工艺和调试,拥有Vector PECVD Oxide &SIN, Altus W and Sabre ECP机台操作和验收经验;
2. 服务客户,新机台工艺安装,Tier2&Tier3机台性能验证,并按期交付。
3. 专注问题发现和客户投诉问题,问题分析和问题解决,如Vector清洁终点探测报警;UV SIN厚度均匀性问题和机台性能匹配;W nuc厚度均匀度问题和机台性能匹配。
4. 参加在美国公司总部开展的两周SABRE电镀铜系列机台课程并获认证: 1)系统和软件操作;2) 机台维护。
5. 国外12英寸Fab工作经验 (新加坡格罗方德和美光).

工作职责:
1. 拥有对15条以上工艺流程、45个以上不同特性的中低压NexFET系列产品管理经验,包括沟槽MOS,VDMOS, LDMOS, NMOS, PMOS, 不同的漏极电压和栅极电压,静电释放保护功能, 不同的封装需求,等等。
2. 从2015年到2017年,两次作为TI成都新一代MOSFET产品和工艺研发组长为重要客户按期交付产品并实现爬坡量产。
3. 熟悉中低压功率器件产品关键电气参数,负责电性能失效数据分析,并实施解决方案;
4. 熟悉Fab各模组工艺,如蚀刻、薄膜、光刻、扩散、离子注入、湿法刻蚀和化学机械研磨等。
5. 负责功率器件MosFET新产品工艺流程建立和主导模块工艺研发;
6. 负责定义各个模块工艺投产文件标准和数据审核 (Fab线上测试,扫描电镜,透射电镜等数据);
7. 负责产品开发实验设计和数据分析并满足产品预设电性参数指标。
8. 负责新工艺流程量产风险评估(失效模式效应分析、 技术控制计划、静态工艺控制、良率和稳定性等),并向模拟技术研发主管部门、业务部门和Fab管理层汇报。
9. 负责新技术工艺健康度检查(如原材料和关键层安全参数范围)和量产验收并投产。
10. 定期月报告项目进展和优异的项目管理能力(从研发开始,成功如期交付3大 功率器件新技术驱动产品顺利投产)。
11. 帮助Fab PE和PDE及业务部门工艺问题解决,如产线工艺测试或晶圆可接受测试不合格、低良率、稳定性测试不合格和客户投诉,等等。

工作职责:
1. 主要负责PowerMos产品Trench&Poly&CT Etch工艺调试和维护,DRAM产品 metal工艺维护,HV产品poly etch工艺调试,LBC3~5 P1,P2工艺调试和维护。
2. 丰富的新蚀刻工艺程式调试和DOE经验,如沟槽硅蚀刻,硅微蚀刻,多晶硅回蚀刻和栅极蚀刻,金属铝和钨蚀刻,栅极侧壁氮化物蚀刻,等等。
3. 新机台工艺验收和性能测试,以及产品验证合规并经过Fab变更控制程序批准进入量产生产线。
4. 管理和维护金属和多晶硅蚀刻机台以获得稳定性能。(如AMAT DPS+ Poly/Metal, Lam 9400/9600)
5. 蚀刻机台产能扩展项目负责人并控制总的生产交期。
6. 负责工艺过程控制趋势图的Cpk,缺陷改善,晶圆可接受测试Cpk和良率提升。
7. 荣获全厂月产20K生产线产能瓶颈机台持续改善项目一等奖;荣获工艺缺陷减少持续改善项目三等奖。
8. 蚀刻部门ISO9000/TS16949 稽核协调员和负责内部事务的合规。