职责业绩:
1. 管理电池片生产所用的原辅材料的检验与其标准.
2. 管理成品电池片的检验与其标准, 以及客户投诉的处理.
3. 每周主导召开公司品质与技术会议, 跟进项目的进度与新改善方案的提出与实施.
4. 建立失效分析的教材，以供日常发生失效时，及时判断出问题所在。
5. 不断改进作业指导书，使其简单易懂，规范员工的操作，使员工操作性带来的差异减到最低的程度。
6. 对生产过程中发现的问题，及时提出改善方案，与预防措施。
7. 负责公司ISO9001体系的运行与控制，保证公司各项工作严格按照程序文件执行。
8. 主导TUV与金太阳验证通过。
9. 负责100MW新单晶硅生产线的建立，调试，试生产。
10.首创N型单晶简化工艺，为公司提供多样化的产品，此产品为公司创造利润超5000万。
11.首创板式PECVD的仿单晶工艺，为公司创造利润超3000万。
12.持续提高多晶产品的质量，使公司在代工费上，相对于其他厂家有近5%的溢价。
13.持续降成本，使得公司成本上不输于竞争对手。
14.改进电池片成品包装的模式，防止氧化，节省成本，为公司节约200万~300万每年。
15.发现公司测试系统的漏洞，并第一时间改正，为公司挽回价值100万每年的合格品流入到降级品中。
16.主导完成公司PERC电池线的改造项目
17.主导完成公司PERC+SE电池线的改造项目
18.在行情比较差的时期，按照客户的要求，对产线进行改造，生产非规类的产品，保证公司正常运行。

职责内容:
1. 负责扫描电子显微镜量测机台，编制机台操作规范，解决量测上遇到的问题，评估可替代的部件, 以降低其更换的费用（约100 万每年）。
2. 研究出一种用于SEM机台之间校准的方法，使机台之间的校准有了很好的依据。
3. 在客户反映产品有问题时，能及时制定临时措施，找到造成失效的工序，并制定改善计划，以及再发防止。
4. 进行操作规范的编写，根据实际情况不断的改进操作，并使操作员更方便的进行作业。
5. 改进生产的流程，使半成品在一工序停留的时间降低30%，大大提高了生产能力。
6. 整理报告，监督每周生产线的状况，及时发现问题，并提出改善的建议，直接对厂长负责。
7. 对SPC、CPK、FEMA等质量控制体系较熟悉。
职责业绩:
1. Overlay 问题
异常现象: 部分产品的一些层次Overlay 能力比较差, 容易超过规格, Raw data 的3 sigma 非常大, 其中MAGX与MAGY 相差4, 用SCANNER 将MAGX与MAGY 进行补偿, 可以解决问题, 但是STEPPER 不能分开补值.
改良措施: 检查STEPPER 和SCANNER 的distortion, 没有明显差异. 排除机台问题 检查这些产品的其他层次, 发现只有简单层会有这个问题, 重要层没有这个问题. 排除第一层的问题 发现有问题的层次都是同一家光罩厂商生产的, 其他没问题的层次都不是这家生产的, 这些有问题的光罩在生产时进行了scale (X=-4,Y=0)的补偿, 这是MAGX与MAGY差异的真因.
再发防止: 光罩公司没进行补偿的实验光罩, 经验证, Overlay 恢复正常水平, 知会光罩厂商从此不再进行scale 补偿. 针对于已经出的光罩, 量大的产品重出光罩, 量小的产品换到SCANNER生产.
2. HV.162 制程良率提升
异常现象: HV.162 制程新pilot 良率比其他FAB 差将近4-5%, 良率不佳的位置在wafer 上是随机分布的, 良率不佳的项目与POLY 层次强相关, 用KLA 检 POLY AEI的wafer, 发现SRAM 处有bridge 的现象.
改良措施: 在两个不同的SCANNER 均有发现POLY bridge, 比较怀疑是曝光条件的问题. 检查曝光的条件发现 iso-dense bias 较大, dense的地方容易发生bridge, 通过改变曝光ID的方法来改善iso-dense bias, 使dense 的line 更小, 用KLA 检新曝光条件的wafer, 未发现SRAM bridge.
再发防止: 新曝光条件的良率与其他FAB 没有差异. HV.162 制程的golden rule 改用新ID, 新产品需要进行window check, KLA 检defect.
3. SEMCD量测差异
异常现象: 一台SEMCD 量测大于.3 制程的hole 图型 不用pre_dose 时, 部分点比其他机台小大概20-30nm.
改良措施: 看图型时, 发现CD较小的图型内径处有一个亮环, 而且第一个点发生这种现象的几率较高, 在其他SEMCD上做实验发现, 用了pre_dose 后, 均有亮环出现. 发现有问题的那台SEMCD 在OM对准后, 不能自动跑到量测位置, 操作员在寻找图型的过程中, 引起了电子的charging. 更换STG X 轴后, 不再发生这种现象.
再发防止: 检查所有SEMCD 的STG 轴, 设置一个lifetime 针对于这个STG 轴, 在每次季保养检查这个parts.
4. SEMCD机台particle issue
异常现象: ADI与AEI KLA检验 均有偶然出现扇形发散的defect，查看历史记录共同机台为SEMCD
改良措施: 经过对defect的分析，为SEMCD定位时，撞击wafer边缘造成的，边缘film破裂，造成扇形defect，临时将SEMCD定位撞击的力度降低。
再发防止: 将SEMCD定位的装置由不锈钢改为塑料。前道thinfilm工序，通过调整，将边缘的film 残留减少。
附加消息
发明: 一种目视检验印刷质量的方法 专利号: CN201910686332.2
发明: 一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法 专利号: CN201810953786.7
发明: 一种埋栅太阳能电池的等离子刻蚀开槽制作工艺 专利号: CN201110046247.3
实用新型: 一种用于防止PECVD镀膜边缘发红的装置 专利号: CN201120058539.4
实用新型: 一种太阳电池硅片清洗花篮架自动回传装置 专利号: CN201120138083.2
实用新型: 一种防止电池片氧化的包装结构 专利号: CN201220153713.8
实用新型: 一种实现PERC电池后道流水线生产 专利号: CN201621370698.7