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简历详情

更新时间：2025-02-15

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                                        半导体器件研发经理                                    
                                

                                {{ direction }}
                            

                                37岁
                                /
                                男                                /
                                已婚                                /
                                硕士                                /
                                15年经验
                            

                                电话：
                                13800138000

                                  
                                邮箱：
                                abcd@163.com

曾就职领域：半导体

目前居住地：上海市

期望工作地：上海市

目前年薪：780000.00万元

期望年薪： 1000000.00万元

教育经历

工作经历

项目经历

教育经历

在校时间

2010-07 至 2013-03

专业

光电工程

就读学校

东华大学统招,211 硕士

在校时间

2006-09 至 2010-07

专业

应用物理

就读学校

东华大学统招,211 本科

工作经历

任职时间

                                    2020-01-01 至 2025-01-01
                                
                                    职位名称职位名称
                                
任职公司

                                    任职公司任职公司
                                
任职描述

                                    任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任;

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工作经历

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            器件研发高级工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

功率器件IGBT,SuperJunction

存储器件MTP,RRAM器件研发仿真。

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            项目研发工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述
新型前沿半导体器件研发、仿真以及 TCAD 到 PDK 的数据提取和过渡 TCAD2SPICE。所做器件: GAA纳米线器件,垂直分离栅存储器件,IGBT。

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            器件研发工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述
MTP，OTP 存储类器件设计研发，器件测试，研发项目管理

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            器件研发工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

功率型器件设计,仿真,主要工具是 Sentanrus 仿真软件。

主要是大功率器件的研发设计,例如超级结 Super Junction,IGBT 以及 Trench MOS。

分析研发和量产批次的 Silicon Data,根据数据分析结果进行下一步设计研发或者确定产品规格,主要工具是 JMP,Excell 等数据分析软件。

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        

                                            器件研发工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述
器件的光电特性仿真模拟（利用仿真软件Sentaurus TCAD），Device data的分析，调试。
55LP Device、SONOS的器件分析以及仿真模拟。
主要是在新产品研发前期,首先通过 sprocess 和 sdevice 模块进行器件的工艺以及物理模型的编辑,再通过电容曲线以及多尺寸的 roll-off 校准对器件进行 calibration,当器件的 calibration 完成之后,就可以通过做一些工艺方面的虚拟实验来预测和指导研发工作的进行,譬如器件尺寸方面;参杂的类型,浓度、角度、位置;退火过程的时间温度;观察电场电流等等。

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        

                                            研究生阶段项目实习合作                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述
研究生实习项目
2012.2——2012.11 担任东华大学大学物理实验讲课助教以及实验指导
2011.8——2012.2 项目名称：硼掺杂的纳米管 MOSFET 的输运特性
所用软件：器件模拟软件 ISE TCAD、数据处理软件 Origin
操作系统：Linux
担任职责：主要设计员、计算员
2011.4——2011.12  中国科学院 上海技术物理研究所，学习交流 半导体器件模拟助理