工作描述:
一、负责功率MOSFET设计与开发,包括中低压N型和P型 Trench MOSFET、 低压低阻 CSP MOSFET、中低压 SGT MOSFET、高压SiC JBS/MOSFET platform开发,涉及layout/Process/DOE设计与优化,数据处理与分析,可靠性验证和失效分析等。
二、主持及参与省部级科技项目5项,发表论文20余篇,申请发明专利2件,所开发的CSP MOSFET经鉴定已达到国内领先,国际先进水平。
三、熟练运用Silvaco和Sentaurus TCAD软件进行电性仿真,L-edit软件进行layout绘制,JMP软件进行数据处理分析;熟悉产品FA分析流程,对失效产品进行EFA和PFA,如I-V curve,hot spot,FIB等,找到失效root cause并进行产品的优化;熟悉竞品benchmark分析流程,形成逆向分析报告。