1. 屏蔽栅功率MOSFET-LRSGT
➢ 对接客户,与客户沟通了解MOSFET器件的应用需求,设计DOE方案,对内协调整合各部门资
源,负责新产品产品导入、研发、风险量产、量产整个过程;
➢ 150V中压SGT工艺flow建立,与工艺工程师合作完善工艺流程及技术开发相关工作;
➢ Inline 制程整合改善及项目进度推进,负责APQP质量管理,编写FEMA,客户产品良率提升及
参数优化;
➢ MOSFET 产品电性分析及产品失效分析(IGSS fail),使用器件测试仪CascadeMicrotech手动测
试参数,调查出root cause,改善线上工艺异常步骤;
2. 屏蔽栅功率MOSFET-UDSGT
➢ 30V/40V UDSGT 工艺开发,PRS 形貌优化,根据 CP 数据进行分析,设计 DOE 改善调整
BV/VT/IG/ID等各项参数,根据测试数据及FA分析与客户制定下一步器件性能改善计划;
➢ Cost down项目,工艺变更(清洗工艺/填充工艺)验证实验,确保变更前后电性参数保持不变;
➢ 产线扩机CP参数review评估,负责扩机产品协调,完成高效扩机;
➢ 跟踪在线产品流通,所负责产品累计投片1万片wafer,及时处理,追踪产线异常,配合做好
异常产品失效分析;