宽禁带射频器件的科研工作：
a. 基于 GaN HEMT 的放大器，射频开关和 SBD 变频器的科学研究。
系统调研射频器件在学术界和工业界的发展现状，根据 GaN 二维电子材料的
高速高频高功率的特点，结合本课题组所拥有的基本实验条件，寻找 GaN 器
件在射频方向的可能科研突破点。具体如下：
1）基于 GaN HEMT 器件的 load-pull 最佳 PAE 阻抗点，采用 ADS 设计输入输
出匹配网络（未考虑低 Q 宽带），实现两种形式的 PA（基于 GaN epi 的 MMIC
PA 和基于 CMOS 的 GaN PA），通过比较其性能来验证 chiplet 异构封装的实
际效果和可能的改进点。（项目预研中）
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2）基于 GaN HEMT 制作高功率微波器件。根据目标功率和工作频段，选择合
适的器件工艺，通过多胞器件组合提升电流，同时提高工作电压，以达到目
标功率。目前暂时采用分离器件验证合路匹配电路设计，后期要在实际 0.25
um 工艺中实现高功率 MMIC PA。（项目预研中）
3）基于 GaN SBD，在片上实现 APDP 电路结构，片外采用 load-pull 匹配，
以获得最佳倍频增益。（该项目已结）
4）GaN HEMT 器件的低温性能研究：通过建立小信号模型，分析低温器件的
模型参数变化，讨论器件在低温下的大信号的表现。（该项目已结）
b. GaN HEMT 和 GaN SBD 两种器件的射频建模。
基于自制的 GaN 射频器件，构建相应的等效电路模型，采用 ICCAP/ADS 提取
和验证器件模型参数，并应用于功放器件和倍频器。
c. 18GHz 以内的射频器件验证平台。
申购相关射频仪表（矢量网络分析仪，负载牵引设备，微波信号源，频谱分
析仪等），搭建一套较为完整的 18GHz 频段以内的射频器件验证平台。另外，
自行软件编程以实现自动化测试，以快速和准确地获得器件表征数据。
d. 射频国产化工程。
正在落地 1 项。当前实施的是基于 TRL 的微波校准片。在相对介电常数 9～
10 的 Al2O3绝缘基片上，生长一层指定结构尺寸的金属，实现共面波导传输
结构，以满足射频 TRL 校准的要求。其中，特定的结构尺寸参数，由 CST 三
维电磁场仿真结果来确定；共面波导的金属层通过金属靶材的溅射成膜。
o 实验室管理工作：
a. 实验室基本 EHS 管理，遵从学校 EHS 红线管理规范；
b. 实验室设备仪器和物料耗材的选型和申购；
c. 关键设备的用电改造和环境搭建；

【工作描述】
o 测试交付：
3GPP 无线通信协议（2G/3G/4G/5G 及多模组合）的射频空口测试，射频模块的系
统软特性交付，客户应用场景的系统交付，重大关键硬件问题的攻关等。
o 软件开发：
软件开发 GSM 上移软特性，规划软特性设计方案，提出消息握手的可靠性机制,
代码实施完成芯片之间的信息交互。
o 部门管理：
下属～30 人，骨干～6 人。构建铁三角（业务交付组、系统组和自动化工具组），
统筹各小组的人力布局，以支撑业务的快速交付；建设虚拟能力组织，制定年度
能力建设规划，以牵引组织能力提升，并应对不断变化和发展的射频产品。
o 资产管理：
负责融合感知大部门的总体资产管理，通过公司无线产品线的年预算千万美金
预算；基于实际业务诉求，合理配置和协调下属 8 个子部门的资产管理。
【主要业绩】
o 测试交付：
年均交付项目～5 个，重点项目 2 个。并在行业内率先实现硬件全覆盖，核心功
能红线化，关键模块定制化的交付策略，促成所交付产品零事故零重大问题。
o 代码交付：
交付 2015A 版本的 GSM 上移 FHBUS/DBUS,CPRI 组网切换,GG 口功放可靠性等其
他需求。该软特性需求上网后 0 下游问题,0 网上问题
o 部门管理：
完成中射频系统测试部门的构建，软特性能力建设的四地布局，有效支撑项目高
质量交付。
o 各种奖项：交付尖兵、明日之星、GULC 总裁奖等。