内容:
1. 设备能力优化:PECVD 对位优化:通过软体优化+相机参数调试管控+硬体速度参数优化+预对位规格优化等措施目前对位时间
由原来的10s以上优化至5-6s,对位报警发生率控制在
0.1%以内;Arcing 改善:分析 Arcing 发生机理,通过硬体搭配参数调整及 Mask 设计优化对 Arcing 影响进行改善等;
2. 工艺优化:THK U%改善:硬体调整,Spacing 调整优化等;Baffle Plate 验证倒入等,U%现已控制在3%以内; 负责新产品的
CVD 相关事项,包括产品的过程能力数据分析及改善,相关不良的解析及改善验证 Split 的测试,推进;CVD 膜层结合力优化等
测试(前处理变化及不同N值膜层)等
3. 人才培养:负责部门及科室人才培养专项:推进人才培养线上及线下考试专项,理论知识及现场实操考试完成率100%; 通用课
程开发:参与通用课程开发并通过通用课程讲师认证,部门及科室通用课程参与通过率100%; 徒弟培养:培养一名生产值班
Leader+2名生产值班人员;
4. 精益管理:AM 活动:负责组织科室 AM 活动的选题,实施及报告;输出注油 Mapping 等可视化成果;QCC 改善:负责科室 QCC
改善圈的建立及领导,改善课题的选定及改善方案确定,改善措施的落实以及最后改善总结的输出和展示;
5. 数据分析:负责 PECVD 过程 FDC 参数监控确定以及监控模型的建立,监控 Warning/Alarm 规则的选择及确立;监控方法优
化:例如 SUS 寿命引起的 TSP Open 不良通过 VPP 等参数进行监控,后优化为 VPP Slope 三段式监控,减少误报发生率,提高
预警准确度等; 异常调查处理:超 Spec 参数数据调查及确认,如 VDC Range 异常调查原因确认及解决措施提出及导入,输出相
关参数异常原因及处理方法报告等;
业绩:
1.PECVD 对位优化:通过软体优化+相机参数调试管控+硬体速度参数优化+预对位规格优化等措施目前对位时间由原来的10s以
上优化至5-6s,对位报警发生率控制在
0.1%以内;
2.Arcing 改善:分析 Arcing 发生机理,通过硬体搭配参数调整及 Mask 设计优化对 Arcing 影响进行改善等,目前发生率小于
0.1%
3.工艺优化:THK U%改善:硬体调整,Spacing 调整优化等;Baffle Plate 验证倒入,目前U%控制在3%以内;
4.人才培养:负责部门及科室人才培养专项:推进人才培养线上及线下考试专项,理论知识及现场实操考试完成率100%;通用课
程开发:参与通用课程开发并通过通用课程讲师认证,部门及科室通用课程参与通过率100%;