• 负责下一代功率半导体研发平台和技术路线 - 1200V 碳化硅 SiC MOSFET 和 IGBT。
• 领导先进技术解决方案的研究，并与大学和研究机构合作，探索功率器件的国际前沿技术。
• 支持当前开发团队进行大规模生产的资格和产量准备工作。
• 进行公司内部电力半导体器件开发的研究。

• 为汽车应用开发新一代 750V 和 1200V SiC 功率器件。
• 为汽车应用开发新的工艺。主要负责项目是用于高功率和高密度电力模块的双面冷却封装。
• 优化生产中现有工艺问题，提高产量并分析次品产品。撰写关于评估和进展的技术分析和报告。
• 对正在开发的电力模块进行资格测试（可靠性、功率/热循环）。

• 开发整合的下一代高频高功率 SiC 模块，应用于牵引驱动系统并转化为车载充电系统。该方法可以大幅减少零部件数量、重量，实现并提高效率。
• 具有与汽车充电系统标准如 IEC61851 以及工业标准IEC61000-6 相关的经验。

• 开发和制造 1200V 和 1700V 沟槽 IGBT。对下一代IGBT 功率半导体器件的开发进行了详细的器件结构和工艺建模，并提供了关键的设计步骤，为器件的下一阶段开发提供了支持。
• 与 Bourns 合作，进行了与 SIC MOSFET 和 JFET 一体化双向器件（SOC）的分析和评估项目。该项目为照明、电池管理系统或其他能量浪涌条件提供了浪涌保护。基于器件模拟、测试和封装分析开发了基于 SPICE 的电路模块。
• 与 Nexperia 合作，承担了开发下一代 1200V 级 GaN HEMT 共封装与集成门驱动器的项目。实现了高频率、高效率和高功率密度的同时。设计了具有独特串联配置的低压 MOSFET 与常开型 GaN HEMT。
• 与 IXYS 合作，承担了开发用于 HVDC 应用的超大规模IGBT 功率模块项目（4500V/3000A）。大规模 IGBT模块的关键限制包括电流重分布、热应力以及封装内部和器件不匹配导致的不均匀压力。该研究需要在恶劣环境、高电流、高温度下对 IGBT 功率模块进行深入测试和建模，以研究安全工作区域，开发行为级电路模型，进行 3D 热分析。
• 与 Rolls-Royce 合作，通过设计主动保护功能和传感器，承担了关于功率器件的智能控制方法的项目。通过减少门电容，降低开关时间和功耗，为电力系统中使用的高功率密度变流器优化了运行效率和可靠性。进一步提高器件对开关失效和电流、温度不均匀分布的抗干扰能力。