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简历详情

更新时间：2025-05-24

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                                        半导体工艺开发工程师                                    
                                

                                {{ direction }}
                            

                                31岁
                                /
                                男                                /
                                未知                                /
                                硕士                                /
                                8年经验
                            

                                电话：
                                13800138000

                                  
                                邮箱：
                                abcd@163.com

曾就职领域：半导体

目前居住地：合肥市

期望工作地：西安市

目前年薪：35.00万元

期望年薪： 35万元

教育经历

工作经历

项目经历

教育经历

在校时间

2019-09 至 2022-06

专业

材料工程

就读学校

中国科学院宁波材料技术与工程研究所统招,985 硕士

在校时间

2013-09 至 2017-06

专业

工学

就读学校

电子科技大学 985,统招本科

工作经历

任职时间

                                    2020-01-01 至 2025-01-01
                                
                                    职位名称职位名称
                                
任职公司

                                    任职公司任职公司
                                
任职描述

                                    任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任;

                                    职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职;

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工作经历

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            R&Dengineer                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

                                            工作职责:HBM产品开发项目中,负责COWOS中Siinterposer以及TSV产品工艺开发及工艺整合,熟悉DTC(深沟槽电容)技术开发,电容提升及漏电流降低等。具备以下能力:flow、BR创建及pirun,解决流片过程的工艺问题,跨

部门沟通,英文报告撰写,专利申请等,GDS/JDV,JMP,MES,SPC等整合相关的软件。

项目2:Siinterposer中高cap开发  参与者之一

主要负责内容:版图设计方案的优化,DTC工艺的整合,WAT数据分析,专利撰写等。

科研成果Scientificresearchachievement

LibinGao*,KeTang,JiamingXu,ZhengruiXu,CrystalstructureanddielectricpropertiesofBi2O3-

CaO-Nb2O5compounds,MaterialsandDesign(SCI一区TOP)116(2017)109–114.

KeTang,ZhehanYu,YijunDai,ComparativestudyonschottkycontactbehaviorsbetweenGa-and

N-polarGaNwithSiNxinterlayer,electronics-2848898.

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任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            光刻工艺工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

                                            工作职责:负责硅基光电子产品、BCD 和电子耦合器件(CCD)产品的光刻工艺维护,负责碳纳米晶体管

(CNT)光刻工艺的前期工艺试验与开发,负责ASMLDUVScanner(ArF)光刻机的工艺维护(机台owner)

等,协助PIE部门完成光刻工艺开发和维护,完成processwindow的评估,解决光刻小组的产品case,有一

定的数据分析及写报告能力。对光刻工艺和ASML光刻机原理有较深的理解,熟悉frame版图设计。

项目 1:90nm 碳纳米管晶体管工艺开发 (光刻主要负责人) 北京大学与联合微电子合作项目

负责内容:完成前期光刻工艺flow检查,frame创建及检查,完成FE&BE layer光刻工艺开发与调试,FA失

效分析,小批量lot试验。

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            GaAs工艺工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

                                            GaAs 工艺工程师