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量产经历:FEOL负责人,55CIS/55Nor/55HV/90BCM等Product主要负责人,与团队负责Inlinecase/LowYield改善等;
人力
人力
智惠
研发经历:55nm/90nmFlash项目研发YE负责人;
智惠
浙江
量产项目(部分)
浙江
1. 90nm某产品sufferXXXBinFail 负责人
问题分析:某90nm产品极易发生CPLowYield;该产品管芯较少,Die的长宽比较大,生产过程中极易由于defect影响导致失效;
处理方案:通过大量数据并结合FailBin类型,确认defect,持续Taskforce加强相关layer管控,结合其他产品经验,优化工艺步骤,优化run货方
案,优化产品在线监控策略,CPLowYield比例下降~80%
在量产方面,与团队持续攻克了多项重大系统性问题,维护55CIS/55Nor/55HV/90BCM等多个平台稳定,良率稳步提升。InlineLowYield显
著减少;同时部分产品工艺优化,也为后续产品提供工艺思路。
研发项目(部分)
1. 55nm某平台AALoopsufferconedefectissue 负责人
背景:55nm平台研发阶段AAETCH后conedefectworse,良率有一定loss;
方案:该Defect只在AAETCH后出现,对AAETCH进行相应优化(优化Recipe,使用GoldenTool,避免中后期run货等),Defect未改善;多个
平台仅该产品suffer,怀疑与产品设计有关,进一步分析该平台AALoop前有IMP注入作Device调整,且defectDiestack位置与IMP 注入区域
Match,怀疑高能注入导致Film异常,从而影响刻蚀;经多次实验验证调整注入与刻蚀顺序可解决该问题且Device性能不受影响。
2. 90nm某平台项目研发(Peeling) 负责人
背景:同平台55nmInline无异常,90nm发现大块Peeling
专用
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方案:针对该Peelingsteptrace,初步锁定NGLoop,对Defect分析确定Peelingsource,对该Defect&Source进行EDX和FA分析确认其成分
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和Film结构,进一步缩短怀疑区间,该区间内有某道ANL较强(温度和时间都高于其他Product), 实验确认该ANL后Film表面异常,导致后续Film
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DEP易产生Peeling,针对该道ANL进行Split实验确认最佳优化方案并上线。
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在研发方面,作为主要负责人参与2个平台产品的研发,作为主要参与者参加其他多个平台工艺开发,对于开发过程中的问题有较多的经验以及相
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应的解决思路,在与其他部门协作解决问题时积累了丰富的经验。
人力
智惠
智惠
浙江
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催化装置:维护日常生产安全,与团队解决突发异常,提升重油轻质化利用率;
1. 使用CAD软件绘制装置PID图
2. 日常巡检工作,完成了装置现场LDAR的检测工作(泄漏点 15631个)
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3. 装置工艺改善,结合模拟软件计算并提高重循环油与热蒸汽的利用率
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