一、离职原因：高科华烨当时0-1成立研究所，期望招聘上游芯片设计厂商的人选并自行设计芯片，但是人选入职1个月以后，发现公司并没有完全确定好研究所的发展路径。人选不期望自己拿着高薪工资却干等着项目启动，因此选择离职。目前人选在台湾，和朋友们成立自己的工作室，继续深耕研究LED芯片设计相关的工作，后续期望能继续回到大陆工作。
二、核心职能：任职高科研究所，为企业高速发展起到灯塔功用,为企业发展调研或发展任何可行性方案。个人负责方向主要要中上游的外延芯片与封装品質。
（一）芯片部分
1、mini/micro LED 的技术源头是外延芯片,需将外延片波长范围控制在3nm内,如此才能因应巨量转移的需求。
2、当传统红光材料磷化铝铟镓尺寸来到微米等级,材料的单位缺陷密度会大增导致发光效率小于1%,失去了 LED 节能省
电的最大特性,因此要开发新型的红光材料,氮化铟镓就是个好选择。
3、氮化镓材料成长在硅基或碳化硅作为3代半发展的基础。
4、硅光材料作为光集成电路
（二）品质部分
显屏常见的异常是毛毛虫,死灯,暗亮。原因可归为2大类:
1、灯珠的气密性不佳,如支架或胶水透湿性高导致
2、芯片的抗湿性或抗腐蚀性不佳,导致金属迁移或其它异常
其实以上2个原因亦可归咎为一个原因,灯珠气密性不佳导致水气进入使芯片或支架金属受潮水解后 形成金属迁移 造成毛毛虫或死灯的结果。改善胶水气密性,或改良支架生产流程,或改善芯片的对环境的耐受度可改善以上品质问题

一、企业介绍：2018年厦门本土开发晶照明收购美国普瑞光电，人选需要双线汇报，分别汇报开发晶照明、美国普瑞光电的研发团队；隶属于外延芯片事业群，担任副总监，兼任芯片技术处长及外延芯片销售总监。该企业主要深耕于照明领域，大部分产品为LED芯片、miniLED。
二、工作内容：
1. 负责 Bridgelux 整体芯片設計, 技术R&D, 新产品开发, 产品优化, 市场布局与销售
2. 工厂管理, 代工厂认证与稽核, 外包行程管控, 异常处理与分析反馈, 产品良率管控及提升
3. 客户服务, 产品推广及行销(2021年兼销售总监), 客诉处理
4. 公司主力產品 GaN EPI wafers/Chips
5. 密切與 Bridgelux 光源团队开发高效 COB 及全光谱的人因照明方案
6. 2020年获得厦门特聘台湾人才
7. 2022年 家里有事因疫情无法频繁隔离 留停挂职在台湾分公司
三、工作业绩：
1. 开发并量产超过10种芯片,小尺寸芯片如10x26, 12x36是作为高压光源器件,中尺寸芯片如18x35,22x35,22x40是作为高光效光源应用,大尺寸芯片如45x45,55x55是作为高功率使用
2. 技术研发与开发, 举1个例子说明,1颗具有3波峰的芯片,困难点在点测,必须与供货商合作根据终端的需求条件修改机台程序与测试程序,这个项目几乎耗时了1年
3. 认证超过5家代工厂,除了文件及技术的审查,我们会同步指派1个测试产品实地测试代工厂的各项能力,一般需要3-9个月完成代工厂的认证
4. 客户服务,包含产品推广,客诉处理(同时与品保团队失效分析),在2021年还兼任芯片销售总监负责3亿人民币的年营业额
5. 2020获得厦门市台湾特聘专家

一、工作内容：
1. 前瞻技术应用 Chip Scale Package, 背光及照明封装产品开发
2. 半导体封测技术应用在光电产品
3. Flip chip w/ Bump 光源产品, 单面发光及5面发光工艺研发
4. 量子点(QD )材料及技术开发
5. 车用光源封装技术评估及产品开发
6. 竞品分析
二、工作业绩：
1. 开发多款背光 CSP 並量产, 并获国际厂家使用(2015~2017)
2. 开发车用及闪光灯 CSP, 客戶认证中(2017)
3. 单面发光背光 CSP 量产(Cap. 10-15 KK/M)并获韩系大厂(2016)

1. LED 芯片开发与销售
2. 4G云端车载影像服务
3. Mesh WiFi 技术推广

工作内容：全面指导公司的 GaN LED 晶粒研发和生产，包含黄光、蒸镀、刻蚀等工艺全面升级
工作业绩：
1. 芯片整体性能提升20%+
2. 6个月内完成量产
3. 车间工艺提升

工作内容：
1. 水平芯片研发及开发:电流扩散,侧壁腐蚀,ITO 优化
2. 粗化 EPI 转光滑面 EPI (成本下降20%)
3. 图型化衬底 PSS (微米级光刻及刻蚀技术)
4. 负型光刻胶 under cut 调整,电极包覆性加强
5. 正型光刻胶调整,mesa 角度优化
6. 垂直/倒装技术研发(金属键合,LLO)
7. 新產品開發
8. 良率及品質提升
工作业绩：
1.电流扩散层改善, 亮度提升 5% (2008量产)
2.Patterned sapphire substrate (PSS) , 亮度提升 5~15% (2008量产)
3.透明导电层与 layoutu 优化, 亮度提升 3~5% (2009量产)
4.Side-wall Etch (SE), 亮度提升 5% (2009量产)
5.MB LED 开发(2010)
6.HB LED 开发(flat surface chip), 性能提升20% (2010量产)
7.Filp chip 试量产 (2012)
8.曾开发过超过20种芯片