负责工艺相关工作

1、选择性发射极项目的开发及量产导入
（1）工艺路线：SE的实现方式有蜡印后刻蚀、二次扩散、Laser Doping，鉴于工艺及设备方面的考虑，我选用Laser Doping的方式实现栅线下方的重掺杂区域，对丝网三道印刷进行改造或设备更新实现精准对位印刷，目前在单晶PERC的基础上，效率增益在0.2%左右；（2）设备选型：掺杂激光选用主流厂家、丝网三道进行设备更新，选用国产设备；
（3）17年四季度电池二部，三部及四部所有PERC单晶已经全部量产。
2、多晶湿法黑硅项目的开发及量产导入
（1）工艺路线：目前黑硅工艺路线有：1、多步法（纳鑫、时创、日益新及弘毅等）为碱抛、沉银、挖孔及扩孔主功能槽会使用到3至4种添加剂，如碱抛抑制剂、硝酸银、挖孔抑制剂等；2、一步法（普阳科技）为把沉银、挖孔及修正合并为一步，与多步法主要区别为使用酸抛、把沉银、挖孔及扩孔在同一功能槽内完成；3、预处理法多为SCHMID和RCT的链式工艺，目前应用较少；4、类常规绒面工艺（直接添加剂法，三峰、度森、合德丰等）为在常规多晶链式制绒直接增加添加剂实现金刚线切多晶硅片的制绒。最终经过效率、良率及单耗各方面考虑，我们使用多步法，使用三种添加剂；
（2）设备选型：捷佳创槽式黑硅机台（第一版机型为26槽，第二版机型为20槽，每槽400片，单小时产量6000以上）；
（3）18年二季度完成量产导入。
3、碱抛光项目的开发及量产导入
目前随着降本增效及环保的不断加严，酸抛光的缺点逐渐凸显出来，首先对于PERC单晶来讲，若背面反射率越高，开压和短流会有优势，酸抛光为各向同性刻蚀，要做到35%以上的反射率，刻蚀减重至少在0.34以上，若反射率还需继续提高，随着减重的增加，化学品单耗的增加会指数式增加，酸刻蚀用到了HNO3、HF，废气中含大量氮氧物，需做专业处理才可排放，废气处理成本也较高。碱抛光相比于酸抛光，在更低减重情况下，反射率更高，化学品单耗成本也更低，碱抛光不会用到HNO3，废气中没有氮氧物，废气的处理成本也更低。
（1）工艺路线：去背面PSG→预清洗→碱抛光→碱洗→酸洗→front etching back→碱洗→酸洗→慢提拉→烘干；
（2）设备选型：捷佳创碱抛光机台，2个抛光槽，产量为7500pcs/hr以上；
（3）项目目前正在进行中，由于SE匹配碱抛光对于正面激光区的保护要求会更高，目前碰到的主要难点是串阻上升和填充下降的问题，正在通过添加剂的保护性增强、扩散、SE、玛雅及烧结等工序的优化匹配，来改善，达到碱抛效率提升的目的。
4、点激光项目的开发及量产导入
对于PERC单晶电池，背激光图形多数为线或者线段，随着效率需求的不断提高，通过开压的提升，达到效率提升，这样在组件的封损会较少，所以通过开孔面积的减少来实现。
（1）工艺路线：通过不同版图、不同重叠、不同线数、不同虚实比、不同激光能量、不同频率、不同打标速度等的各向优化，最终确定1.6%的开孔率为最佳，在原有设备不做任何改造的情况下效率增益达到0.06%；
（2）设备：基于原有帝尔和友晁的背激光开槽设备开发；
（3）项目于18年3季度完成量产导入。
5、主导产线整合的效率提升，如扩散工艺开发提效、常规单晶叠加SE的效率提升、背钝化厚膜工艺改善提效、热氧工艺改善、低温慢烧工艺、低温PE工艺开发、高阻密栅、化学品降单耗、丝网降单耗等产线整合提效的改善项目。

2015年12月至2016年4月 在通威太阳能成都公司进行一期1GW项目的前期技术路线规划设计以及设备招标。
2016年4月至2016年5月 在通威公司成都公司一期招标工作结束后，在通威合肥公司进行常规多晶的提效项目。
2016年6月至2017年1月 在通威成都公司进行一期1GW的产线调试，常规单晶电池的产线提效，异常处理，新机台新物料导入，降本增效，降本增效方面：
（1）在前后清洗湿化学段化学品耗量的减少，如单晶制绒添加剂使用的提高，在未加精排的情况下时创、飞鹿、拓邦国产添加剂做到60至70批次，后期机台补液系统改造精排，预计添加剂批次可以做到150批次左右；适当提升刻蚀槽温度减少酸的用量，在保证良率的情况下，提升制绒酸洗槽及刻蚀碱洗酸洗的使用寿命；
（2）扩散段在保证效率的前提下，把三次通源扩散改为二次通源扩散，缩短了工艺时间，即提升了产能也降低了POCl3的用量；同时也降低了发射机表面浓度，增加结深，提高了开压及电流；
（3）退火工序主要在保证效率的前提下，缩短工艺时间，提产降能耗，目前工艺时间35min；（4）管P通过占空比、功率、压力及温度的优化，降低特气用量；三层膜工艺，减少光损失，提升电流；
（5）丝网在优化DP印刷的网版参数，低纱厚低膜厚网版降低正银单耗（例如：DP3 360/16-18-12-28；360/16-17-13-28，高目数的网版如380、430等也在实验），常用355网框，试用455的大网框网版寿命显著提高。印刷线提速，目前应材的cycle time已经降到1.55，在保证印刷良率的前提下，继续降低cycle time到1.5，逐渐降低，提升丝印产能，也涉及到烧结炉提速，要保证烧结良率，优化浆料和烧结炉工艺，目标是把应材大线产能提至10万5千/每天。各工序化学品、特气、网版耗材等的本地化供应，尽量降低成本，正银浆料第二供应商导入，降低正银成本。质量方面就是在降B级的片子中，挑选A-的片子暗标定向发货，尽量降低降级损失。PERC高效晶硅电池研制导入。
2017年2月至今通威二期2GW单晶电池的项目建设，进行工艺路线制定，主机台及自动化主要性能指标的把控，制定招标采购计划，目前已经完成主机台和自动的招标工作。

1、高效晶硅太阳能电池的设计。
（1）增强电池片抗电势诱导衰减（PID）。
A、调整PECVD工艺参数，制备不同厚度不同折射率的SiN:H防反射钝化膜，提高抗PID能力。
（2）选择性发射极单晶高效太阳能电池。
 尝试喷蜡刻蚀、二次扩散、硅墨印刷、激光掺杂等不同的实现方式。
喷蜡刻蚀：低方阻扩散→对栅线区域印刷保护层→酸刻蚀（未保护区域高方阻，保护区域低方阻）→去保护层→正常后道工序
二次扩散：高温氧化（形成掩膜）→栅线区域开槽→栅线区域重扩散→清洗→非栅线区域轻扩散→正常后道工序
硅墨印刷：富氧扩散（表面N型）→栅线区域硅墨印刷→栅线区域重扩散→清洗→正常后道工序
（3）精密叠层印刷。
A、通过二次印刷，增加柵线高度，减少柵线宽度，达到减少遮光面积，提升电池效率。
（4）三主栅单晶太阳电池。
（5）N型基底太阳能电池扩散工艺的研发。
（6）用ALD实验机型进行PERC工艺研发。
（7）RIE黑硅工艺研发。
2、太阳能电池片生产的工艺优化和制程控制。
（1）生产异常的原因分析和工艺持续优化改进，稳定生产、提高产品合格率﹑降低不良率。
（2）扩散制结工艺的优化调试，以及扩散制结工艺与前道制绒﹑刻边﹑PE镀膜﹑丝印﹑烧结的工艺整合。
（3）新工艺的导入以及新设备的工艺调试及优化改进。